Transphorm envía más de 250.000 dispositivos de alimentación de nitruro de galio (GaN) para confirmar la escalabilidad para grandes volúmenes

GOLETA, California-Este hito es un signo tangible del aumento en la tasa de adopción de semiconductores de nitruro de galio de alta tensión, una tendencia confirmada por la participación publicitada en el mercado de importantes líderes del sector

Transphorm Inc., líder en el diseño y la producción de los primeros y más fiables semiconductores de nitruro de galio (GaN) de 650 V que cumplen con los estándares JEDEC y AEC-Q101, afirma que ha enviado más de 250.000 transistores de efecto de campo (field effect transistor, FET) GaN de alto voltaje. Los dispositivos, que se utilizan en aplicaciones de producción en masa de clientes, son fabricados en la fundición de obleas que tiene la compañía en Aizu, Japón.

El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal.

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